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61.
介绍了一种用于转台速率检测的新型定角脉冲产生电路,详细说明了其工作原理和性能,并给出了实测结果。  相似文献   
62.
本文给出了灰色信噪比的定义,并将其用于多晶硅沉淀的数据分析,使表面缺陷和沉淀厚度在最佳条件下试验结果与灰色预估值更符合。  相似文献   
63.
研究了沉积温度对化学气相渗透SiC基体微观结构2及其纤维增强复合材料性能的影响。950℃沉积碳化硅为非晶态;1000℃以上沉积出的碳化硅为结晶态,1050℃沉积碳化硅晶体取向为主:1250℃沉积碳化硅晶体取向为主。沉积温度升高,沉积深度和均匀性降低。  相似文献   
64.
Si对In718合金凝固过程及元素偏析的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文研究了Si对In718合金凝固过程及元素偏析的影响。结果表明,当Si含量升高后,不仅在枝晶或Laves相中偏析程度加剧,而且在枝晶内的浓度也逐渐升高而达到显著水平。Si降低Nb在Laves相中的溶解度,因而促进Laves相的析出,提高Laves相吸收剩余液体的能力,缩小偏析区的面积。分析认为,过分降低Si含量对改善合金凝固组织及提高终凝温度的作用不大。  相似文献   
65.
氧离子注入P型(100)单晶硅形成SIMOX样品,经俄歇电子能谱、扩展电阻仪测试,形成了SOI结构;经霍尔测试仪测试,制备的SIMOX样品表层硅膜反型为N型导电类型,SIMOX样品的反型是硅中的氧施主所致,由近自由电子的类氦模型计算,氧施主电离能力为0.15eV,该值与早期文献报道的实验值一致。  相似文献   
66.
徐文凯  朱俊杰  聂子玲  韩一  孙军 《航空动力学报》2019,46(5):100-106, 119
为了加快全碳化硅功率模块的实际工程应用,针对全碳化硅模块开通关断过程中电压电流变化率、栅极电压耦合、开通损耗和关断损耗开展了分析,并与传统IGBT功率模块进行了对比分析。在全碳化硅功率模块双脉冲试验的基础之上,研究了不同电压电流等级下开关瞬态特性和开关损耗,提取试验参数,获得了电压电流应力大小,为全碳化硅功率模块的工程应用提供有效参考。  相似文献   
67.
以中间相沥青添加55%(质量分数,下同)的Si粉混合物为原料,制备了含Si的炭泡沫模板。在高温反应烧结炉中,氩气气氛下1500℃保温1~6h,结合反应烧结工艺制备了碳化硅多孔陶瓷。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)对碳化硅多孔陶瓷的微观形貌、物相组成进行了观察,并对熔融Si与C的反应机理进行了探讨。结果表明:碳化硅多孔陶瓷的微观结构与炭泡沫模板的微观结构一致,烧结温度1500℃下,随着保温时间的延长,多孔陶瓷的弯曲强度先增大后减小,而孔隙率先减小后增大;在保温4h的条件下制备的碳化硅多孔陶瓷主要由β-SiC相组成,最大弯曲强度为26.2MPa,对应的孔隙率为45%。内部熔融的Si与外部熔融的Si同时与C反应生成SiC,最后两者结合在一起形成致密的SiC多孔陶瓷。  相似文献   
68.
采用溶胶-凝胶法,利用Al2O3-Y2O3-SiO2溶胶中氧化物与基体中的Si3N4颗粒反应制备一层致密A1-Y-Si-O-N陶瓷涂层.主要研究了烧结温度对陶瓷涂层的组织和性能的影响,利用XRD和EDS分析涂层的相组成和微区元素组成,通过SEM观察涂层的微观形貌.结果显示:在1 400℃烧结时,能够制备出较为致密的陶瓷涂层,涂层由β -siMon,Si2ON,SiO2和非晶相组成;与基体相比,试样的吸水率下降了32.8%~90%,强度提高了2.1%~25.9%.  相似文献   
69.
采用DSC研究了有机硅固化剂1,3-二氨丙基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(DSX)与双酚F环氧树脂(BPFER)的固化动力学。BPFER/DSX体系的非等温固化反应曲线和dα/dt-t曲线表明,该反应符合自催化反应模型的基本特征。T-β曲线预测的固化工艺的凝胶温度、固化温度和后固化温度分别为36、87、138℃。采用E变量法分析得该体系的固化反应表观活化能为46.70~50.54 kJ/mol,与Starink、Kissinger、Ozawa、Boswell等方程的验证结果基本一致。采用E常量法求得该体系不同升温速率下的固化反应动力学方程,动力学方程预测值与实验值十分吻合。TG和DTG曲线表明,BPFER/DSX固化物的耐热性优于BPFER/DDM固化物。  相似文献   
70.
硅橡胶密封圈的力学性能会随着工作时间的增加而发生退化,本文首先初步分析硅橡胶的热氧老化机理,然后对硅橡胶材料在热氧加速老化试验前后的特性参数进行分析对比,并借助非线性有限元分析软件ABAQUS对由该种材料制成的O形圈老化前后的最大接触应力等力学参数进行分析计算,最后讨论了这些参数变化对结构密封效果的影响。本文的研究结果可为长寿命密封圈设计提供参考。  相似文献   
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